bc327 ... bc328 bc327 ... bc328 general purpose pnp transistors universal-pnp-transistoren i c = -800 ma h fe ~ 160/250/400 t jmax = 150c v ceo = -25 ... -45 v p tot = 625 mw version 2018-02-02 to-92 (10d3) (1) (2) dimensions - ma?e [mm] typical applications signal processing, switching, amplification commercial grade 1 ) typische anwendungen signalverarbeitung, schalten, verst?rken standardausfhrung 1 ) features general purpose three current gain groups compliant to rohs, reach, conflict minerals 1 ) besonderheiten universell anwendbar drei stromverst?rkungsklassen konform zu rohs, reach, konfliktmineralien 1 ) mechanical data 1 ) mechanische daten 1 ) (1) taped in ammo pack (raster 2.54) (2) on request: in bulk (raster 1.27, suffix bk) 4000 5000 (1) gegurtet in ammo-pack (raster 2.54) (2) auf anfrage: schttgut (raster 1.27, suffix bk) weight approx. 0.18 g gewicht ca. case material ul 94v-0 geh?usematerial solder & assembly conditions 260c/10s l?t- und einbaubedingungen msl n/a current gain groups stromverst?rkungsgruppen recommended complementary npn transistors empfohlene komplement?re npn-transistoren BC327-16 bc327-25 bc327-40 bc328-16 bc328-25 bc328-40 bc337 ... bc338 maximum ratings 2 ) grenzwerte 2 ) bc327 bc328 collector-emitter-volt. C kollektor-emitter-spannung e-b short - v ces 50 v 30 v collector-emitter-volt. C kollektor-emitter-spannung b open - v ceo 45 v 25 v emitter-base-voltage C emitter-basis-spannung c open - v ebo 5 v power dissipation C verlustleistung p tot 625 mw 3 ) collector current C kollektorstrom dc - i c 800 ma peak collector current C kollektor-spitzenstrom - i cm 1 a base current C basisstrom - i b 100 ma junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -55...+150c -55+150c 1 please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book bitte beachten sie die detaillierten hinweise auf unserer internetseite bzw. am anfang des datenbuches 2 t a = 25c, unless otherwise specified C t a = 25c, wenn nicht anders angegeben 3 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case gltig wenn die anschlussdr?hte in 2 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 1 6 1 8 9 2 x 2.54 c b e 2 x 1.27 c b e 4.6 0.1 4 . 6 0 . 1 m i n 1 2 . 5 pb e l v w e e e r o h s
bc327 ... bc328 characteristics kennwerte t j = 25c min. typ. max. dc current gain C kollektor-basis-stromverh?ltnis 1 ) - v ce = 1 v - i c = 100 ma group -16 group -25 group -40 h fe 100 160 250 160 250 400 250 400 630 - i c = 300 ma group -16 group -25 group -40 h fe 60 100 170 130 200 320 C C C collector-emitter saturation voltage C kollektor-emitter-s?ttigungsspg. 1 ) - i c = 500 ma - i b = 50 ma - v cesat C C 0.7 v base-emitter-voltage C basis-emitter-spannung 1 ) - v ce = 1 v - i c = 300 ma - v be C C 1.2 v collector-emitter cutoff current C kollektor-emitter-reststrom - v ce = 45 v - v ce = 25 v b-e short bc327 bc328 - i ces C 2 na 100 na - v ce = 45 v - v ce = 25 v b-e short t j = 125c bc327 bc328 - i ces C C 10 a gain-bandwidth product C transitfrequenz - v ce = 5 v, - i c = 10 ma, f = 50 mhz f t C 100 mhz C collector-base capacitance C kollektor-basis-kapazit?t - v cb = 10 v, i e =i e = 0, f = 1 mhz c cbo C 12 pf C thermal resistance junction to ambient w?rmewiderstand sperrschicht C umgebung r tha < 200 k/w 2 ) disclaimer: see data book page 2 or website haftungssauschluss: siehe datenbuch seite 2 oder internet 1 tested with pulses t p = 300 s, duty cycle 2% C gemessen mit impulsen t p = 300 s, schaltverh?ltnis 2% 2 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case gltig wenn die anschlussdr?hte in 2 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag
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